Power IC
碳化硅二極管
碳化硅MOSFET
絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）
電源管理芯片
憑借獲得專利的緩沖JBS結構和先進的襯底減薄技術，上海飛锃半導體 提供了具有高效能性能的超小尺寸芯片。 新芯片可將變壓器和散熱器的尺寸減小30％。飛锃半導體的碳化硅二極管產(chǎn)品系列豐富，與國際領先競品高度兼容，并且搭配行業(yè)先進的封裝，如TO220、TO247-2、TO247-3、TO252、TO263、DFN等。
飛锃半導體自主研發(fā)的碳化硅MOSFET 具備高開關頻率，低導通電阻，優(yōu)良高溫特性，與耐高壓等優(yōu)勢，有著替代現(xiàn)有IGBT和超結MOSFET的巨大潛力。其應用在更高頻率的電源設計里，能夠縮小系統(tǒng)儲能器件的體積，例如大電感，大變壓器及大容量電容等，從而降低系統(tǒng)成本。飛锃半導體推出的第二代平面結構MOSFET促進了光伏風電，新能源汽車車，不間斷電源，服務器電源等應用往高效與高可性靠發(fā)展的趨勢。
上海貝嶺公司的IGBT產(chǎn)品，涵蓋了平面高魯棒特性系列， 基于溝槽場截止型（Trench Field Stop）技術的高效系列，結合了超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）以及局部壽命控制等技術，顯著改善了動靜態(tài)性能折中，大幅提高了器件的功率密度，使器件可耐工作溫度更高，轉換效率更大，使用壽命更長。
上海貝嶺電源管理產(chǎn)品涵蓋DC/DC，LDO，電壓檢測，充電管理，負載開關，繼電器驅動、LED驅動等產(chǎn)品系列，可以為客戶配套完整的電源管理方案。
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