功率半導(dǎo)體
碳化硅二極管
碳化硅MOSFET
絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）
電源管理芯片
憑借獲得專利的緩沖JBS結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的襯底減薄技術(shù)，上海飛锃半導(dǎo)體 提供了具有高效能性能的超小尺寸芯片。 新芯片可將變壓器和散熱器的尺寸減小30％。飛锃半導(dǎo)體的碳化硅二極管產(chǎn)品系列豐富，與國(guó)際領(lǐng)先競(jìng)品高度兼容，并且搭配行業(yè)先進(jìn)的封裝，如TO220、TO247-2、TO247-3、TO252、TO263、DFN等。
飛锃半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅MOSFET 具備高開關(guān)頻率，低導(dǎo)通電阻，優(yōu)良高溫特性，與耐高壓等優(yōu)勢(shì)，有著替代現(xiàn)有IGBT和超結(jié)MOSFET的巨大潛力。其應(yīng)用在更高頻率的電源設(shè)計(jì)里，能夠縮小系統(tǒng)儲(chǔ)能器件的體積，例如大電感，大變壓器及大容量電容等，從而降低系統(tǒng)成本。飛锃半導(dǎo)體推出的第二代平面結(jié)構(gòu)MOSFET促進(jìn)了光伏風(fēng)電，新能源汽車車，不間斷電源，服務(wù)器電源等應(yīng)用往高效與高可性靠發(fā)展的趨勢(shì)。
上海貝嶺公司的IGBT產(chǎn)品，涵蓋了平面高魯棒特性系列， 基于溝槽場(chǎng)截止型（Trench Field Stop）技術(shù)的高效系列，結(jié)合了超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）以及局部壽命控制等技術(shù)，顯著改善了動(dòng)靜態(tài)性能折中，大幅提高了器件的功率密度，使器件可耐工作溫度更高，轉(zhuǎn)換效率更大，使用壽命更長(zhǎng)。
上海貝嶺電源管理產(chǎn)品涵蓋DC/DC，LDO，電壓檢測(cè)，充電管理，負(fù)載開關(guān)，繼電器驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)等產(chǎn)品系列，可以為客戶配套完整的電源管理方案。
升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器(DC/DC Step-up Converter)
降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器（DC/DC Step-up Converter）
CMOS型低壓差線性穩(wěn)壓器(CMOS Type LDO Linear Regulator)
雙極型低壓差線性穩(wěn)壓器(Bipolar Type LDO Linear Regulator)
鋰電池充電芯片(Li-ion Battery Charger)
精密限流負(fù)載開關(guān)(Load Switch)
三端穩(wěn)壓器(Three-terminal Positive Regulator)
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